收藏本站
SQD40N04-10A
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
120
100
100
V GS = 10 V thru 6 V
80
V GS = 5 V
80
60
60
40
40
V GS = 4 V
20
0
20
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
100
80
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Output Characteristics
0.05
0.04
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
Transfer Characteristics
60
T C = - 55 ° C
0.03
V GS = 4.5 V
T C = 25 °C
40
T C = 125 ° C
0.02
20
0
0.01
0
V GS = 10 V
0
8
16
24
32
40
0
20
40
60
80
100
3000
I D - Drain Current (A)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2500
2000
C i ss
8
I D = 40 A
V D S = 20 V
6
1500
4
1000
C o ss
500
0
C r ss
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Capacitance
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
S11-2046-Rev. B, 24-Oct-11
3
Document Number: 68847
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SQD50N02-04-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252
SQD50P04-09L-GE3 MOSFET P-CH D-S 40V TO252
SQD50P04-13L-GE3 MOSFET P-CH D-S 40V TO252
SQD50P06-15L-GE3 MOSFET P-CH 60V 50A TO252
SQJ412EP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
SQJ461EP-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 60V TO252
SQJ469EP-T1-GE3 MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC
SQJ844EP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
SQD40N06-14L 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SQD40N06-14L-GE3 功能描述:MOSFET 55V 40A 75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQD40N06-25L-GE3 功能描述:MOSFET 60V 30A 75W 22mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQD40N10-25-GE3 功能描述:MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQD40N10-40L 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SQD40P10-40L 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:Automotive P-Channel 100 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SQD40P10-40L-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SQD40SC100 制造商:Ohmite Mfg Co 功能描述:
    • 鎴�
    • 閲囪喘
    • 鎼滅储
    • 浼氬憳